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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOD200
AOD200 Image
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AOD200 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOD200
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOD200
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 14A/36A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AOD200.pdf
vorrätig: 4940

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Anzahl

Spezifikation

AOD200 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD200 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD200

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 36A (Tc)  
Grundproduktnummer AOD20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD200.

Produkteigenschaften AOD200 AOD1R4A70 AOD2146 AOD240
Artikelnummer AOD200 AOD1R4A70 AOD2146 AOD240
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Sanken Electric USA Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 700 V 40 V 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 48W (Tc) 6.2W (Ta), 100W (Tc) 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 36A (Tc) 3.8A (Tc) 34.5A (Ta), 54A (Tc) 23A (Ta), 70A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V 354 pF @ 100 V 3830 pF @ 20 V 4300 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer AOD20 AOD1R4 AOD21 AOD24
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 20A, 10V 1.4Ohm @ 1A, 10V 3.1mOhm @ 20A, 10V 3mOhm @ 20A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 4.1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Serie - aMOS™ AlphaSGT™ -
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

AOD200 Datenblatt PDF

Laden Sie AOD200 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOD200 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
PR-00141G 14/Jun/2013.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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