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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOD424
AOD424 Image
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AOD424 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOD424
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOD424
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 18A/45A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
TO252 (DPAK) Pkg Drawing.pdf
AOD424.pdf
RoHS Status
vorrätig: 101490

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Spezifikation

AOD424 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD424 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD424

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4630 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 45A (Tc)  
Grundproduktnummer AOD42  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD424.

Produkteigenschaften AOD424 AOD421 AOD4286 AOD423
Artikelnummer AOD424 AOD421 AOD4286 AOD423
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 100 V 30 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 100W (Tc) 2W (Ta), 18.8W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 90W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4630 pF @ 10 V 620 pF @ 10 V 390 pF @ 50 V 2760 pF @ 15 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±25V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer AOD42 AOD42 AOD42 AOD42
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 45A (Tc) 12.5A (Ta) 4A (Ta), 14A (Tc) 15A (Ta), 70A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 4.6 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 10V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 4.5V 75mOhm @ 12.5A, 10V 68mOhm @ 5A, 10V 6.2mOhm @ 20A, 20V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA 1.4V @ 250µA 2.9V @ 250µA 3.5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -

AOD424 Datenblatt PDF

Laden Sie AOD424 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOD424 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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