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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOI11S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOI11S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOI11S60
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOI11S60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Datenblatt
TO251A Pkg Drawing.pdf
AOx11S60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31059

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Spezifikation

AOI11S60 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI11S60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI11S60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251A  
Serie aMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399mOhm @ 3.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 208W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 545 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer AOI11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI11S60.

Produkteigenschaften AOI11S60 AOI2606 AOI208 AOI2610
Artikelnummer AOI11S60 AOI2606 AOI208 AOI2610
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 60 V 30 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399mOhm @ 3.8A, 10V 6.8mOhm @ 20A, 10V 5.1mOhm @ 20A, 10V 10.7mOhm @ 20A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 208W (Tc) 2.5W (Ta), 150W (Tc) 2.5W (Ta), 62W (Tc) 2.5W (Ta), 71.5W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 14A (Ta), 46A (Tc) 18A (Ta), 54A (Tc) 10A (Ta), 46A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 545 pF @ 100 V 4050 pF @ 30 V 2200 pF @ 15 V 2007 pF @ 30 V
Grundproduktnummer AOI11 AOI260 AOI20 AOI261
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie aMOS™ - - -

AOI11S60 Datenblatt PDF

Laden Sie AOI11S60 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOI11S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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