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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOK53S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOK53S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOK53S60
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOK53S60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 53A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
TO247 Pkg Drawing.pdf
AOK53S60(L) Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7546

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Spezifikation

AOK53S60 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOK53S60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOK53S60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247  
Serie aMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 26.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 520W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3034 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc)  
Grundproduktnummer AOK53  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK53S60.

Produkteigenschaften AOK53S60 AOK5N100L AOK42S60L AOK60N30L
Artikelnummer AOK53S60 AOK5N100L AOK42S60L AOK60N30L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 26.5A, 10V 4.2Ohm @ 2.5A, 10V 99mOhm @ 21A, 10V 56mOhm @ 30A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie aMOS™ - aMOS™ -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc) 4A (Tc) 39A (Tc) 60A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3034 pF @ 100 V 1150 pF @ 25 V 2154 pF @ 100 V 5330 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 520W (Tc) 195W (Tc) 417W (Tc) 658W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3.8V @ 250µA 4.1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-247 TO-247 TO-247 TO-247
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 1000 V 600 V 300 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer AOK53 AOK5 AOK42S60 AOK60
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 106 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

AOK53S60 Datenblatt PDF

Laden Sie AOK53S60 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOK53S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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