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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOK9N90
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOK9N90 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOK9N90
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOK9N90
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 9A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
TO247 Pkg Drawing.pdf
AOK9N90.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9519

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Anzahl

Spezifikation

AOK9N90 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOK9N90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOK9N90

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 368W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2560 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer AOK9  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK9N90.

Produkteigenschaften AOK9N90 AOK5N100 AOK8N80L AOK8N80
Artikelnummer AOK9N90 AOK5N100 AOK8N80L AOK8N80
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V 4.2Ohm @ 2.5A, 10V 1.63Ohm @ 4A, 10V 1.63Ohm @ 4A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 TO-247 TO-247 TO-247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 4A (Tc) 7.4A (Tc) 7.4A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer AOK9 AOK5 AOK8 AOK8
Verlustleistung (max) 368W (Tc) 195W (Tc) 245W (Tc) 245W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 1000 V 800 V 800 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2560 pF @ 25 V 1150 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V

AOK9N90 Datenblatt PDF

Laden Sie AOK9N90 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOK9N90 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
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Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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