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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAON3613
AON3613 Image
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AON3613 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON3613
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON3613
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
AON3613.pdf
vorrätig: 3610

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Anzahl

Spezifikation

AON3613 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON3613 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON3613

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (3x3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 4.5A, 10V  
Leistung - max 2.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 245pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A  
Konfiguration N and P-Channel, Common Drain  
Grundproduktnummer AON361  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON3613.

Produkteigenschaften AON3613 AON3814L AON2880 AON2810
Artikelnummer AON3613 AON3814L AON2880 AON2810
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer AON361 AON381 AON288 AON281
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A 6A (Tc) 7A 2A
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-WFDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 245pF @ 15V 1100pF @ 10V 600pF @ 10V 235pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 13nC @ 4.5V 9nC @ 4.5V 10nC @ 10V
Konfiguration N and P-Channel, Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 2.1W 2.5W 2W 2.5W
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 30V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (3x3) 8-DFN (3x3) 8-DFN-EP (2x2) 6-DFN (2x2)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 4.5A, 10V 17mOhm @ 6A, 4.5V 21.5mOhm @ 5A, 4.5V 44mOhm @ 2A, 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate

AON3613 Datenblatt PDF

Laden Sie AON3613 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON3613 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Datenblätter
AON3613.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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