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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAON6572
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AON6572 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON6572
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON6572
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerSMD, Flat Leads
Datenblatt
AON6572.pdf
RoHS Status
vorrätig: 129770

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Spezifikation

AON6572 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6572 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6572

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 6.2W (Ta), 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Ta), 85A (Tc)  
Grundproduktnummer AON657  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6572.

Produkteigenschaften AON6572 AON6578 AON6558 AON6588
Artikelnummer AON6572 AON6578 AON6558 AON6588
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 6.2W (Ta), 48W (Tc) 5.6W (Ta), 35W (Tc) 5W (Ta), 24W (Tc) 6.2W (Ta), 46W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - AlphaMOS -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSMD, Flat Leads 8-PowerSMD, Flat Leads 8-PowerSMD, Flat Leads 8-PowerSMD, Flat Leads
Grundproduktnummer AON657 AON657 AON655 AON658
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Ta), 85A (Tc) 28A (Ta), 70A (Tc) 25A (Ta), 28A (Tc) 32A (Ta), 32A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V 4.4mOhm @ 20A, 10V 5.1mOhm @ 20A, 10V 3.3mOhm @ 20A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 15 V 1340 pF @ 15 V 1128 pF @ 15 V 2160 pF @ 15 V

AON6572 Datenblatt PDF

Laden Sie AON6572 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON6572 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Andere verwandte Dokumente
AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
AON6572.pdf

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