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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAON6970
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AON6970 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON6970
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON6970
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 24A/42A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
AON6970.pdf
vorrätig: 4130

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Anzahl

Spezifikation

AON6970 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6970 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6970

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6)  
Serie SRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 20A, 10V  
Leistung - max 5W, 4.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1171pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A, 42A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer AON697  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6970.

Produkteigenschaften AON6970 AON6934 AON6978 AON6932A
Artikelnummer AON6970 AON6934 AON6978 AON6932A
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 20A, 10V 5.2mOhm @ 20A, 10V 5.7mOhm @ 20A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Grundproduktnummer AON697 AON693 AON697 AON693
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V 22nC @ 10V 25nC @ 10V 22nC @ 10V
Leistung - max 5W, 4.1W 3.6W, 4.3W 3.6W, 4.3W 3.6W, 4.3W
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A, 42A 22A, 30A 20A, 28A 22A, 36A
Serie SRFET™ - SRFET™ -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1171pF @ 15V 1037pF @ 15V 1010pF @ 15V 1037pF @ 15V

AON6970 Datenblatt PDF

Laden Sie AON6970 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON6970 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
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LTB Date Rev 08/May/2018.pdf Mult Dev LTB Update 12/Mar/2018.pdf AON6970 Termination Notice 22/Apr/2015.pdf
Datenblätter
AON6970.pdf

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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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