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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAON7532E
AON7532E Image
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AON7532E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON7532E
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON7532E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30.5A/28A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
AON7532E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4980

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Anzahl

Spezifikation

AON7532E Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON7532E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON7532E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (3x3)  
Serie AlphaMOS  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 5W (Ta), 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30.5A (Ta), 28A (Tc)  
Grundproduktnummer AON75  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7532E.

Produkteigenschaften AON7532E AON7526 AON7518 AON7520
Artikelnummer AON7532E AON7526 AON7518 AON7520
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Verlustleistung (max) 5W (Ta), 28W (Tc) - 3.1W (Ta), 23W (Tc) 6.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Serie AlphaMOS * AlphaMOS AlphaMOS
Grundproduktnummer AON75 AON75 AON75 AON75
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 10V - 8.8mOhm @ 20A, 10V 1.8mOhm @ 20A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 2.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead - 8-PowerVDFN 8-PowerWDFN
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (3x3) - 8-DFN-EP (3x3) 8-DFN-EP (3.3x3.3)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 15 V - 1086 pF @ 15 V 4175 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA - 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30.5A (Ta), 28A (Tc) - 24A (Tc) 48A (Ta), 50A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V - 22 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±12V

AON7532E Datenblatt PDF

Laden Sie AON7532E PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON7532E - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Datenblätter
AON7532E.pdf

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