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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOT1N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOT1N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOT1N60
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOT1N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220 Pkg Drawing.pdf
AOT1N60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 173080

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Anzahl

Spezifikation

AOT1N60 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT1N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT1N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 650mA, 10V  
Verlustleistung (max) 41.7W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A (Tc)  
Grundproduktnummer AOT1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT1N60.

Produkteigenschaften AOT1N60 AOT15S65L AOT20N25L AOT160A60L
Artikelnummer AOT1N60 AOT15S65L AOT20N25L AOT160A60L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 250 V 600 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A (Tc) 15A (Tc) 20A (Tc) 24A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Verlustleistung (max) 41.7W (Tc) 208W (Tc) 208W (Tc) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Serie - aMOS™ - aMOS5™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 25 V 841 pF @ 100 V 1028 pF @ 25 V 2340 pF @ 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 650mA, 10V 290mOhm @ 7.5A, 10V 170mOhm @ 10A, 10V 160mOhm @ 12A, 10V
Grundproduktnummer AOT1 AOT15 AOT20 AOT160
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V 17.2 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -

AOT1N60 Datenblatt PDF

Laden Sie AOT1N60 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOT1N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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