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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOT2618L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOT2618L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOT2618L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOT2618L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220 Pkg Drawing.pdf
AOx2618L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 92660

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Spezifikation

AOT2618L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT2618L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT2618L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta), 23A (Tc)  
Grundproduktnummer AOT2618  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2618L.

Produkteigenschaften AOT2618L AOT2610L AOT2608L AOT262L
Artikelnummer AOT2618L AOT2610L AOT2608L AOT262L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Grundproduktnummer AOT2618 AOT2610 AOT2608 AOT262
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.6V @ 250µA 3.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 20A, 10V 10.7mOhm @ 20A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 3mOhm @ 20A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta), 23A (Tc) 9A (Ta), 55A (Tc) 11A (Ta), 72A (Tc) 20A (Ta), 140A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 41.5W (Tc) 2.1W (Ta), 75W (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 30 V 2007 pF @ 30 V 2995 pF @ 30 V 9800 pF @ 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 6V, 10V

AOT2618L Datenblatt PDF

Laden Sie AOT2618L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOT2618L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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