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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOT410L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOT410L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOT410L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOT410L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220 Pkg Drawing.pdf
AOT410L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 36158

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Anzahl

Spezifikation

AOT410L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT410L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT410L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie SDMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta), 333W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7950 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 129 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 150A (Tc)  
Grundproduktnummer AOT410  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT410L.

Produkteigenschaften AOT410L AOT404 AOT414 AOT424
Artikelnummer AOT410L AOT404 AOT414 AOT424
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7950 pF @ 50 V 2445 pF @ 25 V 2200 pF @ 50 V 4400 pF @ 15 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta), 333W (Tc) 100W (Tc) 1.9W (Ta), 115W (Tc) 100W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V 6V, 10V 7V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 25mOhm @ 20A, 10V 4mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 129 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 150A (Tc) 40A (Tc) 5.6A (Ta), 43A (Tc) 110A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±20V
Serie SDMOS™ - SDMOS™ -
Grundproduktnummer AOT410 AOT40 AOT41 AOT42
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 105 V 100 V 30 V

AOT410L Datenblatt PDF

Laden Sie AOT410L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOT410L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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