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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOT500
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOT500 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOT500
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOT500
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 33V 80A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
AOT500.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4420

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Anzahl

Spezifikation

AOT500 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT500 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT500

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 115W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 33 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer AOT5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT500.

Produkteigenschaften AOT500 AOT502 AOT4S60L AOT4N60
Artikelnummer AOT500 AOT502 AOT4S60L AOT4N60
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 9A (Ta), 60A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc)
Verlustleistung (max) 115W (Tc) 1.9W (Ta), 79W (Tc) 83W (Tc) 104W (Tc)
Serie - - aMOS™ -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer AOT5 AOT5 AOT4 AOT4
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 15 V 1450 pF @ 15 V 263 pF @ 100 V 615 pF @ 25 V
Vgs (Max) - - ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 33 V 33 V 600 V 600 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 4.1V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 30A, 10V 11.5mOhm @ 30A, 10V 900mOhm @ 2A, 10V 2.2Ohm @ 2A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V

AOT500 Datenblatt PDF

Laden Sie AOT500 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOT500 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Andere verwandte Dokumente
AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
AOT500 EOL 14/Dec/2012.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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