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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF12N65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF12N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF12N65
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF12N65
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOT(F)12N65(L).pdf
RoHS Status
vorrätig: 45870

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Anzahl

Spezifikation

AOTF12N65 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF12N65 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF12N65

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF12N65.

Produkteigenschaften AOTF12N65 AOTF14N50 AOTF12T60P AOTF12N50
Artikelnummer AOTF12N65 AOTF14N50 AOTF12T60P AOTF12N50
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 500 V 600 V 500 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720mOhm @ 6A, 10V 380mOhm @ 7A, 10V 520mOhm @ 6A, 10V 520mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V 2297 pF @ 25 V 2028 pF @ 100 V 1633 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 14A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc)
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Grundproduktnummer AOTF12 AOTF14 AOTF12 AOTF12
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

AOTF12N65 Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF12N65 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF12N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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TO220F Pkg Drawing.pdf AOT(F)12N65(L).pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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