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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF2910L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF2910L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF2910L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF2910L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AO(T,B,TF)2910L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 101390

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Spezifikation

AOTF2910L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF2910L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF2910L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 27W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF2910  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF2910L.

Produkteigenschaften AOTF2910L AOTF2918L AOTF288L AOTF27S60L
Artikelnummer AOTF2910L AOTF2918L AOTF288L AOTF27S60L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie - - - aMOS™
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer AOTF2910 AOTF2918 AOTF288 AOTF27
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 6V, 10V 10V
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 27W (Tc) 2.1W (Ta), 41W (Tc) 2.1W (Ta), 35.5W (Tc) 50W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA 3.9V @ 250µA 3.4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 80 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 9.2mOhm @ 20A, 10V 160mOhm @ 13.5A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 13A (Ta), 58A (Tc) 10.5A (Ta), 43A (Tc) 27A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 50 V 3430 pF @ 50 V 1871 pF @ 40 V 1294 pF @ 100 V

AOTF2910L Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF2910L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF2910L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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