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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOW20S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOW20S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOW20S60
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOW20S60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
TO262 Pkg Drawing.pdf
AOW(F)20S60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28514

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Spezifikation

AOW20S60 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW20S60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW20S60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie aMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 266W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1038 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer AOW20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW20S60.

Produkteigenschaften AOW20S60 AOW2502 AOW12N60 AOW2918
Artikelnummer AOW20S60 AOW2502 AOW12N60 AOW2918
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer AOW20 AOW25 AOW12 AOW29
Serie aMOS™ - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1038 pF @ 100 V 3010 pF @ 75 V 2100 pF @ 25 V 3430 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.8 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199mOhm @ 10A, 10V 10.7mOhm @ 20A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 16A (Ta), 106A (Tc) 12A (Tc) 13A (Ta), 90A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA 5.1V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3.9V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Verlustleistung (max) 266W (Tc) 6.2W (Ta), 277W (Tc) 278W (Tc) 2.1W (Ta), 267W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 150 V 600 V 100 V

AOW20S60 Datenblatt PDF

Laden Sie AOW20S60 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOW20S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Andere verwandte Dokumente
AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
TO262 Pkg Drawing.pdf AOW(F)20S60.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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