AOY2N60 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOY2N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOY2N60

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-251B
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	57W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paket	Tube

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Tc)
Grundproduktnummer	AOY2

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOY2N60.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	AOY2N60	SQM120N10-3M8_GE3	SI7852ADP-T1-E3	2SK3230B-T1-A
Hersteller	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Renesas Electronics America Inc
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Tc)	120A (Tc)	30A (Tc)	-
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V	190 nC @ 10 V	45 nC @ 10 V	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	10V	8V, 10V	-
Verlustleistung (max)	57W (Tc)	375W (Tc)	5W (Ta), 62.5W (Tc)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7Ohm @ 1A, 10V	3.8mOhm @ 20A, 10V	17mOhm @ 10A, 10V	-
Supplier Device-Gehäuse	TO-251B	TO-263 (D²Pak)	PowerPAK® SO-8	-
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	295 pF @ 25 V	7230 pF @ 25 V	1825 pF @ 40 V	-
Grundproduktnummer	AOY2	SQM120	SI7852	-
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-
Befestigungsart	Through Hole	Surface Mount	Surface Mount	-
Vgs (Max)	±30V	±20V	±20V	-
Serie	-	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	TrenchFET®	*
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	3.5V @ 250µA	4.5V @ 250µA	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V	100 V	80 V	-
Betriebstemperatur	-50°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Stub Leads, IPak	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	PowerPAK® SO-8	-
FET-Merkmal	-	-	-	-
Paket	Tube	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Bulk

AOY2N60 Datenblatt PDF

Laden Sie AOY2N60 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOY2N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen: Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: Multiple Products 02/Mar/2021.pdf
Datenblätter: AOY2N60.pdf

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Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
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Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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