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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-RFNESG2107M33-T3-A
CEL
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NESG2107M33-T3-A - CEL

Hersteller Artikelnummer
NESG2107M33-T3-A
Hersteller
CEL (California Eastern Laboratories)
Allelco Artikelnummer
32D-NESG2107M33-T3-A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-SMD, Flat Lead
Datenblatt
NESG2107M33.pdf
vorrätig: 4030

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Spezifikation

NESG2107M33-T3-A Tech -Spezifikationen
CEL - NESG2107M33-T3-A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie CEL - NESG2107M33-T3-A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller CEL (California Eastern Laboratories)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 5V  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse 3-SuperMiniMold (M33)  
Serie -  
Leistung - max 130mW  
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz  
Befestigungsart Surface Mount  
Gewinnen 7dB ~ 10dB  
Frequenz - Übergang 10GHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 140 @ 5mA, 1V  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer NESG2107  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie CEL NESG2107M33-T3-A.

Produkteigenschaften NESG2107M33-T3-A NESG2031M05-T1-A NESG260234-T1-AZ NESG2101M05-T1-A
Artikelnummer NESG2107M33-T3-A NESG2031M05-T1-A NESG260234-T1-AZ NESG2101M05-T1-A
Hersteller CEL Renesas Electronics America Inc CEL Renesas Electronics America Inc
Grundproduktnummer NESG2107 - NESG2602 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gewinnen 7dB ~ 10dB 10dB ~ 17dB - 11dB ~ 19dB
Leistung - max 130mW 175mW 1.9W 500mW
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 35mA 600mA 100mA
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Bulk
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 5V 5V 9.2V 5V
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 140 @ 5mA, 1V 130 @ 5mA, 2V 80 @ 100mA, 3V 130 @ 15mA, 2V
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Supplier Device-Gehäuse 3-SuperMiniMold (M33) M05 3-PowerMiniMold M05
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz 0.8dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz - 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Frequenz - Übergang 10GHz 25GHz - 17GHz
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, Flat Lead SOT-343F TO-243AA SOT-343F

NESG2107M33-T3-A Datenblatt PDF

Laden Sie NESG2107M33-T3-A PDF -Datenblätter und CEL -Dokumentation für NESG2107M33-T3-A - CEL herunter.

Datenblätter
NESG2107M33.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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