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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N3117
2N3117 Image
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2N3117 - Central Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2N3117
Hersteller
Central Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-2N3117
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 60V 0.05A TO-18
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Datenblatt
2N3117.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 12869

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Spezifikation

2N3117 Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor - 2N3117 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor - 2N3117

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Central Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 100µA, 1mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-18  
Serie -  
Leistung - max 360mW  
Verpackung Bulk  
Verpackung / Gehäuse TO-206AA, TO-18-3 Metal Can  
Andere Namen 2N3117 LEAD FREE
2N3117 PBFREE
 
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Frequenz - Übergang -  
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 10µA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor 2N3117.

Produkteigenschaften 2N3117 2N3117 2N3251A 2N3250
Artikelnummer 2N3117 2N3117 2N3251A 2N3250
Hersteller Central Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Microsemi Corporation Central Semiconductor
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V - 60 V 40V
Frequenz - Übergang - - - 250MHz
Leistung - max 360mW - 360 mW 360mW
Andere Namen 2N3117 LEAD FREE
2N3117 PBFREE
2N3117-DIE
2N3117MT
2N3117MT-ND
FC2N3117
FC2N3117-ND
- 2N3250 LEAD FREE
2N3250 PBFREE
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 10µA, 5V - 100 @ 10mA, 1V 50 @ 10mA, 1V
Befestigungsart Through Hole - Through Hole Through Hole
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 100µA, 1mA - 500mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18 Bipolar (BJT) Transistor - Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 360mW Through Hole TO-18
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks 4 Weeks - 16 Weeks
Strom - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO) - 10µA (ICBO) -
Verpackung / Gehäuse TO-206AA, TO-18-3 Metal Can - TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50mA - 200 mA 200mA
Verpackung Bulk - - Bulk
Supplier Device-Gehäuse TO-18 - TO-39 (TO-205AD) TO-18
Serie - * - -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) 3 (168 Hours) - 1 (Unlimited)
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) - -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor-Typ NPN - PNP PNP
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Lead free / RoHS Compliant - Lead free / RoHS Compliant

2N3117 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N3117 PDF -Datenblätter und Central Semiconductor -Dokumentation für 2N3117 - Central Semiconductor herunter.

Datenblätte
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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