2N3117 Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor - 2N3117 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor - 2N3117
Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
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Hersteller | Central Semiconductor | |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V | |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 100µA, 1mA | |
Transistor-Typ | NPN | |
Supplier Device-Gehäuse | TO-18 | |
Serie | - | |
Leistung - max | 360mW | |
Verpackung | Bulk | |
Verpackung / Gehäuse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | |
Andere Namen | 2N3117 LEAD FREE 2N3117 PBFREE |
Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
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Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks | |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | |
Frequenz - Übergang | - | |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18 | |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 250 @ 10µA, 5V | |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) | |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor 2N3117.
Produkteigenschaften | ![]() |
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Artikelnummer | 2N3117 | 2N3117 | 2N3251A | 2N3250 |
Hersteller | Central Semiconductor | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Microsemi Corporation | Central Semiconductor |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V | - | 60 V | 40V |
Frequenz - Übergang | - | - | - | 250MHz |
Leistung - max | 360mW | - | 360 mW | 360mW |
Andere Namen | 2N3117 LEAD FREE 2N3117 PBFREE |
2N3117-DIE 2N3117MT 2N3117MT-ND FC2N3117 FC2N3117-ND |
- | 2N3250 LEAD FREE 2N3250 PBFREE |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 250 @ 10µA, 5V | - | 100 @ 10mA, 1V | 50 @ 10mA, 1V |
Befestigungsart | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 100µA, 1mA | - | 500mV @ 5mA, 50mA | 500mV @ 5mA, 50mA |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18 | Bipolar (BJT) Transistor | - | Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 360mW Through Hole TO-18 |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks | 4 Weeks | - | 16 Weeks |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) | - | 10µA (ICBO) | - |
Verpackung / Gehäuse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | - | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA | - | 200 mA | 200mA |
Verpackung | Bulk | - | - | Bulk |
Supplier Device-Gehäuse | TO-18 | - | TO-39 (TO-205AD) | TO-18 |
Serie | - | * | - | - |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | 3 (168 Hours) | - | 1 (Unlimited) |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Transistor-Typ | NPN | - | PNP | PNP |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Lead free / RoHS Compliant | - | Lead free / RoHS Compliant |
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
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Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
Brasilien | 7 | |
Europa | Deutschland | 5 |
Großbritannien | 4 | |
Italien | 5 | |
Ozeanien | Australien | 6 |
Neuseeland | 5 | |
Asien | Indien | 4 |
Japan | 4 | |
Naher Osten | Israel | 6 |
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
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Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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