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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N3947
Central Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2N3947 - Central Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2N3947
Hersteller
Central Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-2N3947
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Datenblatt
2N3947.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 31719

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Anzahl

Spezifikation

2N3947 Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor - 2N3947 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor - 2N3947

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Central Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-18  
Serie -  
Leistung - max 1.2W  
Verpackung Bulk  
Verpackung / Gehäuse TO-206AA, TO-18-3 Metal Can  
Andere Namen 2N3947 PBFREE  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Frequenz - Übergang 300MHz  
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 1.2W Through Hole TO-18  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 10mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor 2N3947.

Produkteigenschaften 2N3947 2N3996 2N3962 2N3906TFR
Artikelnummer 2N3947 2N3996 2N3962 2N3906TFR
Hersteller Central Semiconductor Microchip Technology onsemi onsemi
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA 2V @ 500mA, 5A 400mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks - - -
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 1.2W Through Hole TO-18 - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-18 TO-111 TO-18 TO-92-3
Befestigungsart Through Hole Stud Mount Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-111-4, Stud TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Frequenz - Übergang 300MHz - - 250MHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40V 80 V 60 V 40 V
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 10mA, 1V 40 @ 1A, 2V 100 @ 1mA, 5V 100 @ 10mA, 1V
Verpackung Bulk - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) - 10µA 10nA -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN NPN PNP PNP
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Andere Namen 2N3947 PBFREE - - -
Leistung - max 1.2W 2 W 360 mW 625 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200mA 10 A 200 mA 200 mA
Serie - - - -

2N3947 Datenblatt PDF

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Datenblätte
2N3947.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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