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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays2N5796
Central Semiconductor Corp
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2N5796 - Central Semiconductor Corp

Hersteller Artikelnummer
2N5796
Hersteller
Central Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-2N5796
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2PNP 600MA 60V TO78-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-78-6 Metal Can
Datenblatt
Dual Transistors TO-78 Case 1.pdf
vorrätig: 3840

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Anzahl

Spezifikation

2N5796 Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor Corp - 2N5796 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor Corp - 2N5796

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Central Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic -  
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse TO-78-6  
Serie -  
Leistung - max 600mW  
Verpackung / Gehäuse TO-78-6 Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 200MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 150mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600mA  
Grundproduktnummer 2N579  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor Corp 2N5796.

Produkteigenschaften 2N5796 2N5794U 2N5794U 2N5796
Artikelnummer 2N5796 2N5794U 2N5794U 2N5796
Hersteller Central Semiconductor Corp TT Electronics/Optek Technology Microchip Technology Microchip Technology
Frequenz - Übergang 200MHz - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic - 900mV @ 30mA, 300mA 900mV @ 30mA, 300mA 1.6V @ 50mA, 500mA
Leistung - max 600mW 600mW 500mW 500mW
Grundproduktnummer 2N579 2N5794 2N5794 2N579
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600mA 600mA 600mA 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V 40V 40V 60V
Betriebstemperatur - -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor-Typ 2 PNP (Dual) 2 NPN (Dual) 2 NPN (Dual) 2 PNP (Dual)
Verpackung / Gehäuse TO-78-6 Metal Can 6-CLCC 6-SMD, No Lead TO-78-6 Metal Can
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) - 10µA (ICBO) 10µA (ICBO) 10µA (ICBO)
Supplier Device-Gehäuse TO-78-6 6-CLCC U TO-78-6
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole

2N5796 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N5796 PDF -Datenblätter und Central Semiconductor Corp -Dokumentation für 2N5796 - Central Semiconductor Corp herunter.

Umweltinformationen
RoHS Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL 17/Jan/2017.pdf
Datenblätter
Dual Transistors TO-78 Case 1.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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