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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N6055
2N6055 Image
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2N6055 - Central Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2N6055
Hersteller
Central Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-2N6055
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 60V 8A TO-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-204AA, TO-3
Datenblatt
2N6053 thru 2N6056.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 12705

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Spezifikation

2N6055 Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor - 2N6055 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor - 2N6055

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Central Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 80mA, 8A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-3  
Serie -  
Leistung - max 100W  
Verpackung Tube  
Verpackung / Gehäuse TO-204AA, TO-3  
Andere Namen 2N6055 LEAD FREE
2N6055 PBFREE
 
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Frequenz - Übergang 4MHz  
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 8A 4MHz 100W Through Hole TO-3  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 750 @ 4A, 3V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 8A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor 2N6055.

Produkteigenschaften 2N6055 2N6059 2N6058 2N6052
Artikelnummer 2N6055 2N6059 2N6058 2N6052
Hersteller Central Semiconductor NTE Electronics, Inc Microchip Technology Microchip Technology
Strom - Collector Cutoff (Max) 500µA 1mA - -
Frequenz - Übergang 4MHz 4MHz - -
Verpackung / Gehäuse TO-204AA, TO-3 TO-204AA, TO-3 - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 750 @ 4A, 3V 750 @ 6A, 3V - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V 100 V - -
Leistung - max 100W 150 W - -
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 8A 4MHz 100W Through Hole TO-3 - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-3 TO-3 - -
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount - -
Andere Namen 2N6055 LEAD FREE
2N6055 PBFREE
- - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 8A 12 A - -
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks - - -
Transistor-Typ NPN NPN - Darlington - -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) 200°C (TJ) - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 80mA, 8A 3V @ 120mA, 12A - -
Serie - - * *
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Verpackung Tube - - -
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -

2N6055 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N6055 PDF -Datenblätter und Central Semiconductor -Dokumentation für 2N6055 - Central Semiconductor herunter.

Datenblätte
2N6053 thru 2N6056.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Central Semiconductor
32D-2N6055

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