2N6055 Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor - 2N6055 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor - 2N6055
Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
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Hersteller | Central Semiconductor | |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V | |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A | |
Transistor-Typ | NPN | |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3 | |
Serie | - | |
Leistung - max | 100W | |
Verpackung | Tube | |
Verpackung / Gehäuse | TO-204AA, TO-3 | |
Andere Namen | 2N6055 LEAD FREE 2N6055 PBFREE |
Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
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Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks | |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | |
Frequenz - Übergang | 4MHz | |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 8A 4MHz 100W Through Hole TO-3 | |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 750 @ 4A, 3V | |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500µA | |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 8A |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor 2N6055.
Produkteigenschaften | ||||
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Artikelnummer | 2N6055 | 2N6059 | 2N6058 | 2N6052 |
Hersteller | Central Semiconductor | NTE Electronics, Inc | Microchip Technology | Microchip Technology |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500µA | 1mA | - | - |
Frequenz - Übergang | 4MHz | 4MHz | - | - |
Verpackung / Gehäuse | TO-204AA, TO-3 | TO-204AA, TO-3 | - | - |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 750 @ 4A, 3V | 750 @ 6A, 3V | - | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V | 100 V | - | - |
Leistung - max | 100W | 150 W | - | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 8A 4MHz 100W Through Hole TO-3 | - | - | - |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3 | TO-3 | - | - |
Befestigungsart | Through Hole | Chassis Mount | - | - |
Andere Namen | 2N6055 LEAD FREE 2N6055 PBFREE |
- | - | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 8A | 12 A | - | - |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks | - | - | - |
Transistor-Typ | NPN | NPN - Darlington | - | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) | 200°C (TJ) | - | - |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A | 3V @ 120mA, 12A | - | - |
Serie | - | - | * | * |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Verpackung | Tube | - | - | - |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
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Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
Brasilien | 7 | |
Europa | Deutschland | 5 |
Großbritannien | 4 | |
Italien | 5 | |
Ozeanien | Australien | 6 |
Neuseeland | 5 | |
Asien | Indien | 4 |
Japan | 4 | |
Naher Osten | Israel | 6 |
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
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Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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