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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-ArraysMPQ2369
MPQ2369 Image
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MPQ2369 - Central Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MPQ2369
Hersteller
Central Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MPQ2369
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 4NPN 15V 0.5A
detaillierte Beschreibung
Verpackung
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
MPQ2369.pdf
vorrätig: 7753

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Spezifikation

MPQ2369 Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor - MPQ2369 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor - MPQ2369

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Central Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 15V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ 4 NPN (Quad)  
Supplier Device-Gehäuse TO-116  
Serie -  
Leistung - max 500mW  
Verpackung Tube  
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300", 7.62mm)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant  
Frequenz - Übergang 450MHz  
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 15V 500mA 450MHz 500mW Through Hole TO-116  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 400nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor MPQ2369.

Produkteigenschaften MPQ2369 MPQ2222A MPQ2222 MPQ2451DJ-AEC1-LF-Z
Artikelnummer MPQ2369 MPQ2222A MPQ2222 MPQ2451DJ-AEC1-LF-Z
Hersteller Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Monolithic Power Systems Inc.
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 15V 500mA 450MHz 500mW Through Hole TO-116 Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 100mA, 2V 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA 500mA 500mA -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 15V 40V 40V -
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300", 7.62mm) 14-DIP (0.300", 7.62mm) 14-DIP (0.300", 7.62mm) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Frequenz - Übergang 450MHz 200MHz 200MHz -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) 1 (Unlimited) 1 (Unlimited) -
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Request inventory verification / Request inventory verification Lead free / RoHS Compliant -
Transistor-Typ 4 NPN (Quad) 4 NPN (Quad) 4 NPN (Quad) -
Leistung - max 500mW 650mW 650mW -
Verpackung Tube Tube Tube -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA 1V @ 50mA, 500mA 1.6V @ 30mA, 300mA -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Strom - Collector Cutoff (Max) 400nA (ICBO) 10nA (ICBO) 50nA (ICBO) -
Serie - - - *
Supplier Device-Gehäuse TO-116 TO-116 TO-116 TSOT-23-6

MPQ2369 Datenblatt PDF

Laden Sie MPQ2369 PDF -Datenblätter und Central Semiconductor -Dokumentation für MPQ2369 - Central Semiconductor herunter.

Datenblätte
MPQ2369.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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