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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-Treiber1EDN7550B
1EDN7550B Image
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1EDN7550B - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
1EDN7550B
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-1EDN7550B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
1EDN7550 - GATE DRIVER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
1EDN7550, 1EDN8550 Datasheet.pdf
1EDN7550, 1EDN8550 Datasheet.pdf
vorrätig: 7930

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Spezifikation

1EDN7550B Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - 1EDN7550B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - 1EDN7550B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 4.5V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23-6-3  
Serie EiceDriver™  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 6.5ns, 4.5ns  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH -  
Eingabetyp Inverting, Non-Inverting  
Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side and Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 4A, 8A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer 1EDN7550  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies 1EDN7550B.

Produkteigenschaften 1EDN7550B 1EDN8511B 1EDN8511BXUSA1 1EDN7511BXUSA1
Artikelnummer 1EDN7550B 1EDN8511B 1EDN8511BXUSA1 1EDN7511BXUSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23-6-3 PG-SOT23-6-2 PG-SOT23-6-2 PG-SOT23-6-2
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 6.5ns, 4.5ns 6.5ns, 4.5ns 6.5ns, 4.5ns 6.5ns, 4.5ns
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Anzahl der Treiber 2 2 1 1
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer 1EDN7550 1EDN8511 1EDN8511 1EDN7511
Logikspannung - VIL, VIH - 1.2V, 1.9V 1.2V, 1.9V 1.2V, 1.9V
Serie EiceDriver™ EiceDriver™ EiceDriver™ EiceDriver™
Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET
Angetriebene Konfiguration High-Side and Low-Side Low-Side Half-Bridge, Low-Side Half-Bridge, Low-Side
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 4A, 8A 4A, 8A 4A, 8A 4A, 8A
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Eingabetyp Inverting, Non-Inverting Inverting, Non-Inverting Inverting, Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Ladestrom Single Single Single Single
Spannungsversorgung 4.5V ~ 20V 4.5V ~ 20V 8V ~ 20V 4.5V ~ 20V

1EDN7550B Datenblatt PDF

Laden Sie 1EDN7550B PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für 1EDN7550B - Infineon Technologies herunter.

Datenblätter
1EDN7550, 1EDN8550 Datasheet.pdf
HTML -Datenblatt
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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-1EDN7550B

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