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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Arrays2N7002DW L6327
Infineon Technologies
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2N7002DW L6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
2N7002DW L6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-2N7002DW L6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
2N7002DW L6327.pdf
vorrätig: 5120

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Spezifikation

2N7002DW L6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - 2N7002DW L6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - 2N7002DW L6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT363-PO  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V  
Leistung - max 500mW  
Verpackung / Gehäuse 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer 2N7002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies 2N7002DW L6327.

Produkteigenschaften 2N7002DW L6327 2N7002DW-7-F 2N7002BKS,115 2N7002DW-7
Artikelnummer 2N7002DW L6327 2N7002DW-7-F 2N7002BKS,115 2N7002DW-7
Hersteller Infineon Technologies Diodes Incorporated Nexperia USA Inc. Diodes Incorporated
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie OptiMOS™ - Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ -
Leistung - max 500mW 310mW 295mW 310mW
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300mA 230mA 300mA 230mA
Grundproduktnummer 2N7002 2N7002 2N7002 2N7002
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V - 0.6nC @ 4.5V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 10V 50pF @ 25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 60V 60V
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT363-PO SOT-363 6-TSSOP SOT-363
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V 1.6Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V

2N7002DW L6327 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N7002DW L6327 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für 2N7002DW L6327 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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