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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF9Z34N
International Rectifier
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AUIRF9Z34N - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRF9Z34N
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF9Z34N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
AUIRF9Z34N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37540

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF9Z34N Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRF9Z34N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRF9Z34N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 68W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRF9Z34N.

Produkteigenschaften AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRF7759L2TR AUIRFB8409
Artikelnummer AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRF7759L2TR AUIRFB8409
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.9V @ 250µA
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 DirectFET™ Isometric L8 TO-220-3
Verlustleistung (max) 68W (Tc) 300W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 375W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc) 75A (Tc) 375A (Tc) 195A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB DirectFET™ Isometric L8 TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 75 V 75 V 40 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V 7600 pF @ 50 V 12222 pF @ 25 V 14240 pF @ 25 V
Paket Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 2.3mOhm @ 96A, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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