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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFR2905Z
AUIRFR2905Z Image
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AUIRFR2905Z - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFR2905Z
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFR2905Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AUIRFR2905Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22604

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFR2905Z Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFR2905Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFR2905Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 36A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRFR2905  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFR2905Z.

Produkteigenschaften AUIRFR2905Z AUIRFR2905ZTRL AUIRFR2307Z AUIRFR3504
Artikelnummer AUIRFR2905Z AUIRFR2905ZTRL AUIRFR2307Z AUIRFR3504
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 36A, 10V 14.5mOhm @ 36A, 10V 16mOhm @ 32A, 10V 9.2mOhm @ 30A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc) 140W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 25 V 1380 pF @ 25 V 2190 pF @ 25 V 2150 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 75 V 40 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc) 56A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-PAK (TO-252AA)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer AUIRFR2905 AUIRFR2905 - -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AUIRFR2905Z Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFR2905Z PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFR2905Z - Infineon Technologies herunter.

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