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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRLL014NTR
AUIRLL014NTR Image
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AUIRLL014NTR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRLL014NTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRLL014NTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
AUIRLL014N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4250

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Anzahl

Spezifikation

AUIRLL014NTR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRLL014NTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRLL014NTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRLL014NTR.

Produkteigenschaften AUIRLL014NTR AUIRL7766M2TR AUIRLL014N AUIRLL024N
Artikelnummer AUIRLL014NTR AUIRL7766M2TR AUIRLL014N AUIRLL024N
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) 1W (Ta) 1W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 150µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) 10A (Ta) 2A (Ta) 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2A, 10V 10mOhm @ 31A, 10V 140mOhm @ 2A, 10V 65mOhm @ 3.1A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 100 V 55 V 55 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA DirectFET™ Isometric M4 TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V 5305 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4 DirectFET™ Isometric M4 SOT-223 SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 66 nC @ 4.5 V 14 nC @ 10 V 15.6 nC @ 5 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V

AUIRLL014NTR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRLL014NTR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRLL014NTR - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
AUIRLL014N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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