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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRLR2905ZTRL
AUIRLR2905ZTRL Image
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AUIRLR2905ZTRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRLR2905ZTRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRLR2905ZTRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AUIRLR2905Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 26732

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Spezifikation

AUIRLR2905ZTRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRLR2905ZTRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRLR2905ZTRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 36A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRLR2905  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRLR2905ZTRL.

Produkteigenschaften AUIRLR2905ZTRL AUIRLR2905 AUIRLR3110ZTRL AUIRLR2905Z
Artikelnummer AUIRLR2905ZTRL AUIRLR2905 AUIRLR3110ZTRL AUIRLR2905Z
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier International Rectifier
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 48 nC @ 4.5 V 35 nC @ 5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 140W (Tc) 110W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 100 V 55 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 100µA 3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc)
Serie HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 3980 pF @ 25 V 1570 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Grundproduktnummer AUIRLR2905 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 36A, 10V 27mOhm @ 25A, 10V 14mOhm @ 38A, 10V 13.5mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
FET-Merkmal - - - -

AUIRLR2905ZTRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRLR2905ZTRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRLR2905ZTRL - Infineon Technologies herunter.

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AUIRLR2905Z.pdf

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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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