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AUIRLR3410TRL Image
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AUIRLR3410TRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRLR3410TRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRLR3410TRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AUIRLR3410TRL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 33436

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Anzahl

Spezifikation

AUIRLR3410TRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRLR3410TRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRLR3410TRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRLR3410  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRLR3410TRL.

Produkteigenschaften AUIRLR3410TRL AUIRLR3705Z AUIRLR3114Z AUIRLR3110ZTRL
Artikelnummer AUIRLR3410TRL AUIRLR3705Z AUIRLR3114Z AUIRLR3110ZTRL
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier International Rectifier
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer AUIRLR3410 - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 D-Pak D-PAK (TO-252AA) D-Pak
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 3810 pF @ 25 V 3980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V 56 nC @ 4.5 V 48 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 55 V 40 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 100µA 2.5V @ 100µA
Verlustleistung (max) 79W (Tc) 130W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V 8mOhm @ 42A, 10V 4.9mOhm @ 42A, 10V 14mOhm @ 38A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

AUIRLR3410TRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRLR3410TRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRLR3410TRL - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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