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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRLS3036-7P
Infineon Technologies
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AUIRLS3036-7P - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRLS3036-7P
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRLS3036-7P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
AUIRLS3036-7P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5250

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Anzahl

Spezifikation

AUIRLS3036-7P Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRLS3036-7P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRLS3036-7P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 180A, 10V  
Verlustleistung (max) 380W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11270 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRLS3036-7P.

Produkteigenschaften AUIRLS3036-7P AUIRLS4030-7P AUIRLS3034-7P AUIRLS4030-7TRL
Artikelnummer AUIRLS3036-7P AUIRLS4030-7P AUIRLS3034-7P AUIRLS4030-7TRL
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc) 190A (Tc) 240A (Tc) 190A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 40 V 100 V
Verlustleistung (max) 380W (Tc) 370W (Tc) 380W (Tc) 370W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 180A, 10V 3.9mOhm @ 110A, 10V 1.4mOhm @ 200A, 10V 3.9mOhm @ 110A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 180 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11270 pF @ 50 V 11490 pF @ 50 V 10990 pF @ 40 V 11490 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AUIRLS3036-7P Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRLS3036-7P PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRLS3036-7P - Infineon Technologies herunter.

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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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