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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberAUIRS4427S
AUIRS4427S Image
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AUIRS4427S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRS4427S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRS4427S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRS4427S.pdf
vorrätig: 14640

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Anzahl

Spezifikation

AUIRS4427S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRS4427S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRS4427S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 6V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q100  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 25ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2.3A, 3.3A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer AUIRS4427  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRS4427S.

Produkteigenschaften AUIRS4427S AUIRS44261S AUIRS2302S AUIRS4427STR
Artikelnummer AUIRS4427S AUIRS44261S AUIRS2302S AUIRS4427STR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 25ns 15ns, 25ns 100ns, 25ns -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Ladestrom Independent Independent Synchronous -
Spannungsversorgung 6V ~ 20V 4.8V ~ 20V 5V ~ 20V 6V ~ 20V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2.3A, 3.3A 2.3A, 3.3A 200mA, 350mA -
Paket Tube Tube Tube Bulk
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET -
Grundproduktnummer AUIRS4427 AUIRS4426 AUIRS2302 AUIRS4427
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.5V -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -
Angetriebene Konfiguration Low-Side Low-Side Half-Bridge Low-Side
Eingabetyp Non-Inverting Inverting Non-Inverting Non-Inverting

AUIRS4427S Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRS4427S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRS4427S - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 04/Apr/2014.pdf
Datenblätter
AUIRS4427S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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