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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedBCR166E6327
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BCR166E6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BCR166E6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BCR166E6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BCR166E6327.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4770

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Anzahl

Spezifikation

BCR166E6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BCR166E6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BCR166E6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23-3-11  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Bulk  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 160 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 70 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BCR166  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BCR166E6327.

Produkteigenschaften BCR166E6327 BCR169E6327 BCR162E6327 BCR166W
Artikelnummer BCR166E6327 BCR169E6327 BCR162E6327 BCR166W
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Grundproduktnummer BCR166 BCR169 BCR162 BCR166
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 70 @ 5mA, 5V 120 @ 5mA, 5V 20 @ 5mA, 5V 70 @ 5mA, 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23-3-11 PG-SOT23-3-3 PG-SOT23-3-3 PG-SOT323-3-1
Serie - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Frequenz - Übergang 160 MHz 200 MHz 200 MHz 160 MHz
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms - 4.7 kOhms 47 kOhms
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 250 mW
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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