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BCR198SH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BCR198SH6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BCR198SH6327XTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
BCR198SH6327XTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 411300

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Anzahl

Spezifikation

BCR198SH6327XTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BCR198SH6327XTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BCR198SH6327XTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT363-PO  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms  
Leistung - max 250mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 190MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 70 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer BCR198  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BCR198SH6327XTSA1.

Produkteigenschaften BCR198SH6327XTSA1 BCR198FE6327 BCR198S H6327 BCR198T
Artikelnummer BCR198SH6327XTSA1 BCR198FE6327 BCR198S H6327 BCR198T
Hersteller Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA - - -
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms - - -
Grundproduktnummer BCR198 - - -
Serie - - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms - - -
Verpackung / Gehäuse 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA - - -
Frequenz - Übergang 190MHz - - -
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) - - -
Leistung - max 250mW - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 70 @ 5mA, 5V - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) - - - -
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT363-PO - - -

BCR198SH6327XTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BCR198SH6327XTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BCR198SH6327XTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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