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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBCV27E6327HTSA1
BCV27E6327HTSA1 Image
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BCV27E6327HTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BCV27E6327HTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BCV27E6327HTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BCV27E6327HTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 445100

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Anzahl

Spezifikation

BCV27E6327HTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BCV27E6327HTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BCV27E6327HTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23  
Serie -  
Leistung - max 360 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 170MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20000 @ 100mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer BCV27  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BCV27E6327HTSA1.

Produkteigenschaften BCV27E6327HTSA1 BCV29TA BCV27E6327 BCV26
Artikelnummer BCV27E6327HTSA1 BCV29TA BCV27E6327 BCV26
Hersteller Infineon Technologies Diodes Incorporated Infineon Technologies
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA 1V @ 100µA, 100mA 1V @ 100µA, 100mA -
Grundproduktnummer BCV27 BCV29 - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Frequenz - Übergang 170MHz 150MHz 170MHz -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) - 100nA (ICBO) -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 30 V 30 V -
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20000 @ 100mA, 5V 20000 @ 100mA, 5V 20000 @ 100mA, 5V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Paket Tape & Reel (TR) Digi-Reel® Bulk -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA -
Leistung - max 360 mW 1 W 360 mW -
Transistor-Typ NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-243AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23 SOT-89-3 PG-SOT23-3-1 -

BCV27E6327HTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BCV27E6327HTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BCV27E6327HTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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