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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBCW61CE6327
Infineon Technologies
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BCW61CE6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BCW61CE6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BCW61CE6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BCW61CE6327.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1245000

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Anzahl

Spezifikation

BCW61CE6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BCW61CE6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BCW61CE6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 32 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 1.25mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23  
Serie -  
Leistung - max 330 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BCW61CE6327.

Produkteigenschaften BCW61CE6327 BCW61DTA BCW61C,215 BCW61C
Artikelnummer BCW61CE6327 BCW61DTA BCW61C,215 BCW61C
Hersteller Infineon Technologies Diodes Incorporated Nexperia USA Inc. Infineon Technologies
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 32 V 32 V 32 V 32 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 200 mA 100 mA 100 mA
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23 SOT-23-3 TO-236AB SOT-23
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 1.25mA, 50mA 550mV @ 1.25mA, 50mA 550mV @ 1.25mA, 50mA 550mV @ 1.25mA, 50mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 2mA, 5V 380 @ 2mA, 5V 250 @ 2mA, 5V 250 @ 2mA, 5V
Frequenz - Übergang 250MHz 180MHz 100MHz 100MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO) 20nA 20nA (ICBO) 20nA (ICBO)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Leistung - max 330 mW 330 mW 250 mW 250 mW
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BCW61CE6327

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