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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBCW68HE6327HTSA1
BCW68HE6327HTSA1 Image
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BCW68HE6327HTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BCW68HE6327HTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BCW68HE6327HTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 45V 0.8A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BCW68HE6327HTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 329000

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Anzahl

Spezifikation

BCW68HE6327HTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BCW68HE6327HTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BCW68HE6327HTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23  
Serie -  
Leistung - max 330 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 100mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 800 mA  
Grundproduktnummer BCW68  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BCW68HE6327HTSA1.

Produkteigenschaften BCW68HE6327HTSA1 BCW68GE6327 BCW68GLT1 BCW70LT1
Artikelnummer BCW68HE6327HTSA1 BCW68GE6327 BCW68GLT1 BCW70LT1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi onsemi
Strom - Kollektor (Ic) (max) 800 mA 800 mA - 100 mA
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23 PG-SOT23-3-1 - SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO) 20nA (ICBO) - 100nA (ICBO)
Grundproduktnummer BCW68 - BCW68 BCW70
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V 45 V - 45 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 100mA, 1V 160 @ 100mA, 1V - 215 @ 2mA, 5V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ PNP - - PNP
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Leistung - max 330 mW 330 mW - 225 mW
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequenz - Übergang 200MHz 200MHz - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA 700mV @ 50mA, 500mA - 300mV @ 500µA, 10mA

BCW68HE6327HTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BCW68HE6327HTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BCW68HE6327HTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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