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BFN39E6327HTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BFN39E6327HTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BFN39E6327HTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 300V 0.2A SOT223-4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
BFN39E6327HTSA1.pdf
vorrätig: 3760

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Spezifikation

BFN39E6327HTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BFN39E6327HTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BFN39E6327HTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 300 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4  
Serie -  
Leistung - max 1.5 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 30mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BFN39E6327HTSA1.

Produkteigenschaften BFN39E6327HTSA1 BFN26E6327 BFN39H6327 BFN38E6327
Artikelnummer BFN39E6327HTSA1 BFN26E6327 BFN39H6327 BFN38E6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA 500mV @ 2mA, 20mA 500mV @ 2mA, 20mA 500mV @ 2mA, 20mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 30mA, 10V 30 @ 30mA, 10V 40 @ 10mA, 10V 40 @ 10mA, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ PNP - PNP -
Serie - Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Frequenz - Übergang 100MHz 70MHz 100MHz 70MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 300 V 300 V 300 V 300 V
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4 PG-SOT23-3-3 SOT-223 PG-SOT223-4
Leistung - max 1.5 W 360 mW 1.5 W 1.5 W
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA

BFN39E6327HTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BFN39E6327HTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BFN39E6327HTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Großbritannien 4
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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