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BFP640ESDH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BFP640ESDH6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BFP640ESDH6327XTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-82A, SOT-343
Datenblatt
BFP640ESDH6327XTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 154580

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Anzahl

Spezifikation

BFP640ESDH6327XTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BFP640ESDH6327XTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BFP640ESDH6327XTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 4.7V  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT343-4-2  
Serie -  
Leistung - max 200mW  
Verpackung / Gehäuse SC-82A, SOT-343  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz  
Befestigungsart Surface Mount  
Gewinnen 7dB ~ 30dB  
Frequenz - Übergang 46GHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 110 @ 30mA, 3V  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50mA  
Grundproduktnummer BFP640  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BFP640ESDH6327XTSA1.

Produkteigenschaften BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640E6327 BFP650 BFP640F E6327
Artikelnummer BFP640ESDH6327XTSA1 BFP640E6327 BFP650 BFP640F E6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Frequenz - Übergang 46GHz 40GHz 37GHz -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 110 @ 30mA, 3V 110 @ 30mA, 3V 110 @ 80mA, 3V -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50mA 50mA 150mA -
Gewinnen 7dB ~ 30dB 24dB 10.5dB ~ 21.5dB -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 4.7V 4.5V 4.5V -
Verpackung / Gehäuse SC-82A, SOT-343 SC-82A, SOT-343 SC-82A, SOT-343 -
Leistung - max 200mW 200mW 500mW -
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT343-4-2 PG-SOT343-4 PG-SOT343-3D -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Transistor-Typ NPN NPN NPN -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Grundproduktnummer BFP640 - BFP650 -
Serie - - - -

BFP640ESDH6327XTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BFP640ESDH6327XTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BFP640ESDH6327XTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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