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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSB012NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSB012NE2LXIXUMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSB012NE2LXIXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSB012NE2LXIXUMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-WDSON
Datenblatt
BSB012NE2LXIXUMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4330

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Anzahl

Spezifikation

BSB012NE2LXIXUMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSB012NE2LXIXUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSB012NE2LXIXUMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MG-WDSON-2, CanPAK M™  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 57W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 3-WDSON  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5852 pF @ 12 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc)  
Grundproduktnummer BSB012  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSB012NE2LXIXUMA1.

Produkteigenschaften BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LX BSB012N03LX3G BSB013NE2LXIXUMA1
Artikelnummer BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LX BSB012N03LX3G BSB013NE2LXIXUMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V 1.3mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5852 pF @ 12 V 4900 pF @ 12 V 16900 pF @ 15 V 4400 pF @ 12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc) 37A (Ta), 170A (Tc) 39A (Ta), 180A (Tc) 36A (Ta), 163A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 3-WDSON 3-WDSON 3-WDSON 3-WDSON
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer BSB012 - - BSB013
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 30 V 25 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 169 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V

BSB012NE2LXIXUMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSB012NE2LXIXUMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSB012NE2LXIXUMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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