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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSB056N10NN3GXUMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSB056N10NN3GXUMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSB056N10NN3GXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSB056N10NN3GXUMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-WDSON
Datenblatt
BSB056N10NN3GXUMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17482

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Anzahl

Spezifikation

BSB056N10NN3GXUMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSB056N10NN3GXUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSB056N10NN3GXUMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MG-WDSON-2, CanPAK M™  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 3-WDSON  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 83A (Tc)  
Grundproduktnummer BSB056  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1.

Produkteigenschaften BSB056N10NN3GXUMA1 BSB165N15NZ3G BSB053N03LPG BSB028N06NN3GXUMA1
Artikelnummer BSB056N10NN3GXUMA1 BSB165N15NZ3G BSB053N03LPG BSB028N06NN3GXUMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 8V, 10V 4.5V, 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA 4V @ 110µA 2.2V @ 250µA 4V @ 102µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 83A (Tc) 9A (Ta), 45A (Tc) 17A (Ta), 71A (Tc) 22A (Ta), 90A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 150 V 30 V 60 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer BSB056 - - BSB028
Verpackung / Gehäuse 3-WDSON DirectFET™ Isometric MZ 3-WDSON 3-WDSON
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 50 V 2800 pF @ 75 V 2700 pF @ 15 V 12000 pF @ 30 V
Supplier Device-Gehäuse MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2-9 MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V 16.5mOhm @ 30A, 10V 5.3mOhm @ 30A, 10V 2.8mOhm @ 30A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie OptiMOS™ OptiMOS® OptiMOS™ OptiMOS™
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

BSB056N10NN3GXUMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSB056N10NN3GXUMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSB056N10NN3GXUMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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