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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC014N06NSATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC014N06NSATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC014N06NSATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC014N06NSATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22982

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Anzahl

Spezifikation

BSC014N06NSATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC014N06NSATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC014N06NSATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 120µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-17  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 156W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC014  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC014N06NSATMA1.

Produkteigenschaften BSC014N06NSATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC016N03LSG
Artikelnummer BSC014N06NSATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC016N03LSG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 25 V 40 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta), 100A (Tc) 33A (Ta), 100A (Tc) 31A (Ta), 100A (Tc) 32A (Ta), 100A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-17 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 50A, 10V 1.5mOhm @ 30A, 10V 1.45mOhm @ 50A, 10V 1.6mOhm @ 30A, 10V
Grundproduktnummer BSC014 BSC015 BSC014 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 30 V 2000 pF @ 12 V 4000 pF @ 20 V 10000 pF @ 15 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 120µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 156W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V

BSC014N06NSATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC014N06NSATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC014N06NSATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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