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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC021N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC021N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC021N08NS5ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC021N08NS5ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET TRENCH 80V TSON-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC021N08NS5ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 16301

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Anzahl

Spezifikation

BSC021N08NS5ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC021N08NS5ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC021N08NS5ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 146µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TSON-8-3  
Serie OptiMOS™, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 214W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8600 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Standard  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC021  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC021N08NS5ATMA1.

Produkteigenschaften BSC021N08NS5ATMA1 BSC019N04NSGATMA1 BSC019N06NSATMA1 BSC022N03S
Artikelnummer BSC021N08NS5ATMA1 BSC019N04NSGATMA1 BSC019N06NSATMA1 BSC022N03S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-TSON-8-3 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8-1
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 108 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 58 nC @ 5 V
FET-Merkmal Standard - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 30A (Ta), 100A (Tc) 100A (Ta) 28A (Ta), 100A (Tc)
Grundproduktnummer BSC021 BSC019 BSC019 -
Verlustleistung (max) 214W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) 136W (Ta) 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 40 V 60 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 50A, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 1.95mOhm @ 50A, 10V 2.2mOhm @ 50A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8600 pF @ 40 V 8800 pF @ 20 V 5250 pF @ 30 V 7490 pF @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie OptiMOS™, StrongIRFET™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 146µA 4V @ 85µA 3.3V @ 74µA 2V @ 100µA

BSC021N08NS5ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC021N08NS5ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC021N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
OptiMOS A/T Chgs 2/Dec/2021.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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