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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC032N04LSATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC032N04LSATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC032N04LSATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC032N04LSATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC032N04LSATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 55270

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Anzahl

Spezifikation

BSC032N04LSATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC032N04LSATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC032N04LSATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-6  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 52W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta), 98A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC032  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC032N04LSATMA1.

Produkteigenschaften BSC032N04LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 BSC032N03SG BSC030P03NS3GAUMA1
Artikelnummer BSC032N04LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 BSC032N03SG BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 70µA 3.1V @ 345µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 20 V 1200 pF @ 12 V 5080 pF @ 15 V 14000 pF @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta), 98A (Tc) 22A (Ta), 84A (Tc) 23A (Ta), 100A (Tc) 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Grundproduktnummer BSC032 BSC032 - BSC030
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 39 nC @ 5 V 186 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 50A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 3.2mOhm @ 50A, 10V 3mOhm @ 50A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 52W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 25 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V

BSC032N04LSATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC032N04LSATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC032N04LSATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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