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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
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BSC060N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC060N10NS3GATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC060N10NS3GATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29751

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Anzahl

Spezifikation

BSC060N10NS3GATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC060N10NS3GATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC060N10NS3GATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.9A (Ta), 90A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC060  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC060N10NS3GATMA1.

Produkteigenschaften BSC060N10NS3GATMA1 BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1
Artikelnummer BSC060N10NS3GATMA1 BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 50 V 3200 pF @ 20 V 830 pF @ 20 V 1800 pF @ 30 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-6
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Grundproduktnummer BSC060 BSC059 BSC059 BSC065
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.9A (Ta), 90A (Tc) 16A (Ta), 73A (Tc) 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc) 64A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V 5.9mOhm @ 50A, 10V 5.9mOhm @ 50A, 10V 6.5mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 9.4 nC @ 10 V 13 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 3W (Ta), 38W (Tc) 46W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 40 V 60 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA 2V @ 23µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 20µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

BSC060N10NS3GATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC060N10NS3GATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC060N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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