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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
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BSC0901NSATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC0901NSATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC0901NSATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC0901NSATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 83240

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Anzahl

Spezifikation

BSC0901NSATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC0901NSATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC0901NSATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-5  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC0901  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC0901NSATMA1.

Produkteigenschaften BSC0901NSATMA1 BSC0902NSATMA1 BSC0902NSIATMA1 BSC084P03NS3
Artikelnummer BSC0901NSATMA1 BSC0902NSATMA1 BSC0902NSIATMA1 BSC084P03NS3
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 10mA -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 15 V 1700 pF @ 15 V 1500 pF @ 15 V -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta), 100A (Tc) 24A (Ta), 100A (Tc) 23A (Ta), 100A (Tc) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-6 -
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 30A, 10V 2.6mOhm @ 30A, 10V 2.8mOhm @ 30A, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Grundproduktnummer BSC0901 BSC0902 BSC0902 -

BSC0901NSATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC0901NSATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC0901NSATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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