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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC252N10NSFGATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC252N10NSFGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC252N10NSFGATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC252N10NSFGATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 49830

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Anzahl

Spezifikation

BSC252N10NSFGATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC252N10NSFGATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC252N10NSFGATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 43µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.2mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 78W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A (Ta), 40A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC252  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1.

Produkteigenschaften BSC252N10NSFGATMA1 BSC205N10LSG BSC320N20NS3GATMA1 BSC240N12NS3G
Artikelnummer BSC252N10NSFGATMA1 BSC205N10LSG BSC320N20NS3GATMA1 BSC240N12NS3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 78W (Tc) 76W (Tc) 125W (Tc) 66W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.2mOhm @ 20A, 10V 20.5mOhm @ 45A, 10V 32mOhm @ 36A, 10V 24mOhm @ 31A, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 43µA 2.4V @ 43µA 4V @ 90µA 4V @ 35µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 50 V 2900 pF @ 50 V 2350 pF @ 100 V 1900 pF @ 60 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A (Ta), 40A (Tc) 7.4A (Ta), 45A (Tc) 36A (Tc) 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 200 V 120 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer BSC252 - BSC320 -
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

BSC252N10NSFGATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC252N10NSFGATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC252N10NSFGATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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