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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC350N20NSFDATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC350N20NSFDATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC350N20NSFDATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC350N20NSFDATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC350N20NSFDATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23778

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Anzahl

Spezifikation

BSC350N20NSFDATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC350N20NSFDATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC350N20NSFDATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC350  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC350N20NSFDATMA1.

Produkteigenschaften BSC350N20NSFDATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1
Artikelnummer BSC350N20NSFDATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer BSC350 BSC340 BSC440 BSC320
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 100 V 756 pF @ 40 V 810 pF @ 50 V 2350 pF @ 100 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA 3.5V @ 12µA 3.5V @ 12µA 4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 9.1 nC @ 10 V 10.8 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 35A, 10V 34mOhm @ 12A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V 32mOhm @ 36A, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 80 V 100 V 200 V
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) 29W (Tc) 125W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 7A (Ta), 23A (Tc) 5.3A (Ta), 18A (Tc) 36A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

BSC350N20NSFDATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC350N20NSFDATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC350N20NSFDATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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