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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysBSD235CH6327XTSA1
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BSD235CH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSD235CH6327XTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
BSD235CH6327XTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 305290

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Anzahl

Spezifikation

BSD235CH6327XTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSD235CH6327XTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSD235CH6327XTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.6µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT363-6-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 950mA, 4.5V  
Leistung - max 500mW  
Verpackung / Gehäuse 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 47pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.34nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 950mA, 530mA  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer BSD235  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSD235CH6327XTSA1.

Produkteigenschaften BSD235CH6327XTSA1 BSD223P L6327 BSD235NH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1
Artikelnummer BSD235CH6327XTSA1 BSD223P L6327 BSD235NH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.34nC @ 4.5V 0.62nC @ 4.5V 0.32nC @ 4.5V 0.62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 950mA, 4.5V 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 350mOhm @ 950mA, 4.5V 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.6µA 1.2V @ 1.5µA 1.2V @ 1.6µA 1.2V @ 1.5µA
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Verpackung / Gehäuse 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT363-6-1 PG-SOT363-PO PG-SOT363-PO PG-SOT363-6-1
Grundproduktnummer BSD235 BSD223 BSD235 BSD223
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 47pF @ 10V 56pF @ 15V 63pF @ 10V 56pF @ 15V
Leistung - max 500mW 250mW 500mW 250mW
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2 OptiMOS™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 950mA, 530mA 390mA 950mA 390mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

BSD235CH6327XTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSD235CH6327XTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSD235CH6327XTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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