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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSL202SNH6327XTSA1
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BSL202SNH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSL202SNH6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSL202SNH6327XTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
BSL202SNH6327XTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 116950

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Anzahl

Spezifikation

BSL202SNH6327XTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSL202SNH6327XTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSL202SNH6327XTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 30µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TSOP6-6  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1147 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta)  
Grundproduktnummer BSL202  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSL202SNH6327XTSA1.

Produkteigenschaften BSL202SNH6327XTSA1 BSL202SNL6327 BSL207SP BSL207SP L6327
Artikelnummer BSL202SNH6327XTSA1 BSL202SNL6327 BSL207SP BSL207SP L6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta) 7.5A (Ta) 6A (Ta) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1147 pF @ 10 V 1147 pF @ 10 V 1007 pF @ 15 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 30µA 1.2V @ 30µA 1.2V @ 40µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 4.5V 22mOhm @ 7.5A, 4.5V 41mOhm @ 6A, 4.5V -
Supplier Device-Gehäuse PG-TSOP6-6 PG-TSOP6-6-6 PG-TSOP6-6 -
Grundproduktnummer BSL202 - - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™2 OptiMOS™ -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) -

BSL202SNH6327XTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSL202SNH6327XTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSL202SNH6327XTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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